[发明专利]半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统在审
| 申请号： | 202211103351.6 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115802756A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李昇珉;金俊亨;金江旻;任峻成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27;H10B41/10;H10B41/35;H10B41/41;H10B41/50;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件可以包括：半导体基板；在半导体基板上的外围电路结构；板图案，在外围电路结构上并具有间隙；以及堆叠结构，在板图案上并包括第一堆叠区域和第二堆叠区域。第一堆叠区域可以包括在垂直于半导体基板的上表面的垂直方向上堆叠的栅电极，第二堆叠区域可以包括导体堆叠区域和绝缘体堆叠区域两者，导体堆叠区域包括在垂直方向上堆叠的导电层，绝缘体堆叠区域包括在与导电层基本相同的高度水平处的模制绝缘层。半导体器件还可以包括：垂直存储结构，延伸穿过第一堆叠区域；以及源极接触插塞，电连接到导体堆叠区域的导电层中的至少一个并接触板图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 包括 数据 存储系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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