[发明专利]一种碳化硅晶圆背面加工工艺在审
| 申请号： | 202211108358.7 | 申请日： | 2022-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN115472550A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 | 申请（专利权）人： | 中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C16/06;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 丁国栋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆背面加工工艺，本发明包括以下步骤：S1、取一个完成前半段制程的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆正面贴附到带有气孔的玻璃载板上，采用抽气设备在玻璃载板下方抽气，将碳化硅晶圆真空吸附在玻璃载板上，然后通过LPCVD工艺在碳化硅晶圆背面和边缘沉积一层第一二氧化硅层，再移除抽气设备，最后再次进行LPCVD工艺，通过在沉积第一二氧化硅层可以对碳化硅晶圆和玻璃载板之间进行定位，无需使用粘着剂即可保证移除抽气设备时，碳化硅晶圆不会在玻璃载板上产生位移，并且二氧化硅的耐高温能力强，方便将碳化硅晶圆固定到玻璃载板上进行后续的高温工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 背面 加工 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
