[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211111055.0 | 申请日： | 2022-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN116171037A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 朴志云;朴影根;李豪真 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；接触结构，穿透衬底；底电极，在衬底上并连接到接触结构；介电层，覆盖底电极；以及顶电极，在底电极上。介电层将顶电极与底电极分开。接触结构包括下导电图案和在下导电图案上的上导电图案。上导电图案包括第一金属的注入掺杂剂的氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211111055.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能型路口车辆识别系统
- 下一篇：一种快速查找泄漏点的方法及系统
