[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202211114075.3 | 申请日： | 2022-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN115312463A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 王俊文;洪齐元;余兴 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 高德志 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：第一绝缘层；位于第一绝缘层的正面表面上分立的第一垂直栅极、第二垂直栅极和电感器；覆盖第一绝缘层的正面表面的第二绝缘层；贯穿第二绝缘层、第一垂直栅极和第一绝缘层的第一有源区，以及贯穿第二绝缘层、第二垂直栅极和第一绝缘层的第二有源区；位于第一有源区顶部中的第一源漏区，位于第二有源区顶部中的第二源漏区；将电感器的第一端与第二源漏区电连接的第一金属布线层；位于第一有源区底部中的第三源漏区，位于第二有源区的底部中的第四源漏区；位于第一绝缘层的背面表面上的连接第三源漏区和第四源漏区的金属连接层。本申请实现不同晶体管与电感器的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
