[发明专利]多层电子组件及其制造方法在审
申请号: | 202211115317.0 | 申请日: | 2022-09-14 |
公开(公告)号: | CN115810486A | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 吴泳俊;金正烈 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/008 | 分类号: | H01G4/008;H01G4/12;H01G4/224;H01G4/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张红;孙丽妍 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本公开提供一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括主体和设置在所述主体上的外电极,所述主体包括多个第一介电层和多个内电极,所述主体被划分为:电容形成部,在所述电容形成部中,所述多个第一介电层和所述多个内电极在第一方向上交替地设置;第一覆盖部,设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面上,并且包括第二介电层;以及第二覆盖部,设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的另一表面上,并且包括第三介电层。其中,如果在所述多个内电极之中的最靠近所述第一覆盖部设置的内电极被称为IE1,则IE1中的Ni(OH) |
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搜索关键词: | 多层 电子 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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