[发明专利]用于谐振器制作的方法、体声波谐振器有效
| 申请号： | 202211141015.0 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115225050B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳新声半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人： | 陶俊洁 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于谐振器制作的方法，包括：刻蚀底电极层，暴露出压电层；利用键合层将刻蚀后的待处理结构与衬底键合，键合层、压电层、底电极层和衬底围合形成空腔；第一区域覆盖压电层上预设的待刻蚀区域；第一区域的面积大于待刻蚀区域的面积；第一区域为键合层与底电极层围合形成的孔所处区域；刻蚀顶电极层，暴露出压电层；第二区域覆盖压电层上预设的待刻蚀区域；第二区域的面积大于待刻蚀区域的面积；第二区域为顶电极层与顶电极层围合形成的孔所处区域。这样，在进行打孔时，只需要对压电层进行打孔，不会使得顶电极层和压电层的边缘不光滑。能够提高制作出的谐振器的ESD能力。本申请还公开一种体声波谐振器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 谐振器 制作 方法 声波 | ||
【主权项】：
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