[发明专利]一种RRAM的读取电路及读取方法有效
| 申请号： | 202211155750.7 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115527586B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 许晓欣;赖锦茹;孙文绚;郑旭;董大年;余杰;樊邵阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 庞许倩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种RRAM的读取电路及读取方法，属于半导体存储器技术领域，解决了现有技术中参考单元使RRAM芯片面积变大，成本变高，功耗较大，RRAM可靠性差的问题。一种RRAM读取电路包括：RRAM单元、放大器、反相器；RRAM单元的源线一端和放大器正输入端连接，另一端用于输入读取电压，RRAM阵列的位线和放大器负输入端连接；放大器，用于检测并放大同时刻位线和源线上的电压差异，并将放大后的信号输出至反相器的输入端；反相器，用于将输入端的高电平信号/低电平信号转变为0/1输出，所述反相器的输出端作为读取电路的输出端，输出RRAM存储的数据。实现了无需参考单元，节省芯片面积，降低功耗，缩减成本的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rram 读取 电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211155750.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
