[发明专利]磁流变阻尼器容积补偿结构在审
| 申请号： | 202211158491.3 | 申请日： | 2022-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN115681389A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张红辉;熊苧淞;安娜;邹致远;潘科浔;廖昌荣 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | F16F9/32 | 分类号： | F16F9/32;F16F9/53 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开磁流变阻尼器容积补偿结构，包括一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构、一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构和一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构。本发明使磁流变阻尼器的示功特性圆润饱满，对称性好，十分有利于磁流变阻尼器的智能化控制；相较于传统的浮动活塞补偿结构，本发明没有可动部件，更有利于产品可靠工作，密封和充气工艺要求低，同时外置补偿结构不影响活塞的运动行程。采用双筒结构时，可以在改善磁流变液沉降问题的同时，实现良好的容积补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 流变 阻尼 容积 补偿 结构 | ||
【主权项】：
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