[发明专利]驱动装置、驱动方法及电力转换装置

摘要

提供一种驱动装置、驱动方法及电力转换装置，对SiC‑MOSFET的劣化进行抑制。该驱动装置隔着用于使串联连接的第一SiC‑MOSFET和第二SiC‑MOSFET关断的死区时间，使所述第一SiC‑MOSFET和所述第二SiC‑MOSFET交替地开关，所述驱动装置包括：第一驱动电路，在所述死区时间，将所述第一SiC‑MOSFET的栅极电压设定为高于第一负电源电压且低于所述第一SiC‑MOSFET的第一阈值电压的第一中间电压；以及第二驱动电路，在所述死区时间，将所述第二SiC‑MOSFET的栅极电压设定为高于第二负电源电压且低于所述第二SiC‑MOSFET的第二阈值电压的第二中间电压。