[发明专利]一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法有效
| 申请号： | 202211194544.7 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115302400B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 高飞;张弛;王英民;李晖;王健;霍晓青;李宝珠;程红娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B24B37/08 | 分类号： | B24B37/08;B24B37/005;B24B37/28;B24B7/22;B08B3/12 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 杨舒文 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启双面研磨机对晶片进行研磨，研磨结束后去除晶片表面的磨料；将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；对晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗去除粘贴剂；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，做好标记为；测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为通过差减法计算晶片表面同一点研磨前后的厚度变化量，得到双面研磨过程中晶片上表面、下表面、边缘的去除量，提高了测量准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 确定 双面 研磨 晶片 上下 表面 去除 方法 | ||
【主权项】：
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