[发明专利]CIS的深沟槽隔离结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202211198110.4 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115579370A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 蔡亚果;张武志;曹亚民;赵庆贺 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CIS的深沟槽隔离结构，包括：通过对第一半导体衬底的第一表面进行等离子体刻蚀形成的深沟槽，深沟槽的内侧表面具有由等离子体刻蚀产生界面缺陷。形成于深沟槽中的第一半导体外延层、第二介质层和第三导电材料层。在最靠近外围区的深沟槽的部分区域中还形成有第四导电材料层。第四导电材料层和外部电极连接。外部电极连接到外部控制模块，外部控制模块提供外部电压到各第三导电材料层上以对深沟槽的内侧表面的界面态进行调控，以消除界面缺陷对界面态的不利影响。本发明还公开了一种CIS的深沟槽隔离结构的制造方法。本发明能对深沟槽隔离结构和半导体衬底之间的界面处的界面态进行调控，能优化界面态并从而减少暗电流和白像素。 | ||
| 搜索关键词： | cis 深沟 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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