[发明专利]集成电路装置以及制造集成电路装置的方法在审

专利信息
申请号: 202211200500.0 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115843185A 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 许诺;张元豪;吕勃陞;吴志强 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H10B61/00 分类号: H10B61/00;H10N59/00;H10N50/10;H10N50/01;H10N50/80
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本公开涉及集成电路装置以及制造集成电路装置的方法。将磁阻随机存取存储器单元区块以及用于磁阻随机存取存储器单元区块的磁遮蔽结构整合到集成电路装置的金属互连内。磁遮蔽结构可由具有包括磁遮蔽材料的导线以及导孔的金属化层以及导孔层提供。磁遮蔽材料可形成导线以及导孔、在导线的周围形成衬层、或可为导线的一层。导线以及导孔亦可包括较磁遮蔽材料更导电的金属。金属互连可包括在磁遮蔽结构的上方或下方的缺少磁遮蔽材料且更导电的层。具有磁遮蔽结构的磁阻随机存取存储器单元区块可选地作为独立存储器装置提供或被整合至包括具有传统金属互连的第二基板的三维集成电路装置中。
搜索关键词: 集成电路 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
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