[发明专利]一种升压电路、升压电路的工作方法以及嵌入式闪存在审

专利信息
申请号: 202211200625.3 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115440259A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 杨子庆 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;H02M3/07
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 李修杰
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请公开了一种升压电路、升压电路的工作方法以及嵌入式闪存,该升压电路包括:多个串联连接的层级,每个层级包括串联连接的一个PMOS二极管和一个P型金氧半导体电容,连接处定义为节点,任一层级用于将作为基极的N型井的不同接出点连接至不同的电位。该升压电路的工作方法包括:获取初始输入电压Vin;根据所获取的PMOS二极管导通信号,第一层级节点电位充电至Vin‑Vt,其中Vt为PMOS二极管的导通电压;S3:根据所获取的触发信号,从第一层级开始,每个层级的PMOS二极管与P型金氧半导体电容耦合,产生振荡信号,并利用上一层级振荡信号的振荡频率对下一层级进行升压,直到到达设定的输出电压Vout。该嵌入式内存中包括该升压电路。
搜索关键词: 一种 升压 电路 工作 方法 以及 嵌入式 闪存
【主权项】:
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