[发明专利]一种升压电路、升压电路的工作方法以及嵌入式闪存在审
申请号: | 202211200625.3 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN115440259A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 杨子庆 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;H02M3/07 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 李修杰 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种升压电路、升压电路的工作方法以及嵌入式闪存,该升压电路包括:多个串联连接的层级,每个层级包括串联连接的一个PMOS二极管和一个P型金氧半导体电容,连接处定义为节点,任一层级用于将作为基极的N型井的不同接出点连接至不同的电位。该升压电路的工作方法包括:获取初始输入电压Vin;根据所获取的PMOS二极管导通信号,第一层级节点电位充电至Vin‑Vt,其中Vt为PMOS二极管的导通电压;S3:根据所获取的触发信号,从第一层级开始,每个层级的PMOS二极管与P型金氧半导体电容耦合,产生振荡信号,并利用上一层级振荡信号的振荡频率对下一层级进行升压,直到到达设定的输出电压Vout。该嵌入式内存中包括该升压电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 升压 电路 工作 方法 以及 嵌入式 闪存 | ||
【主权项】:
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