[发明专利]一种掩膜版、曝光设备和曝光方法在审
申请号: | 202211203997.1 | 申请日: | 2022-09-29 |
公开(公告)号: | CN115542658A | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 杨堂;叶超;魏小丹;何宝生;刘沛;邓祖文 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 王存霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请实施例提供了一种掩膜版、曝光设备和曝光方法。该掩膜版包括:有多个子掩膜图形组的第一掩膜子版和有多个透光区的第二掩膜子版。第二掩膜子版设置在第一掩膜子版的一侧,且能够相对第一掩膜子版移动。移动对位结构与第二掩膜子版连接,用于根据接收到的对位信号,控制第二掩膜子版移动,以使得在不同的曝光过程中透光区分别对应不同的子掩膜图形组。本申请实施例可以将多种掩膜版图形集成在一张掩膜版中,减少掩膜版使用数量,降低生产成本,同时减少生产时掩膜版的移动风险及其造成的产品工艺不良。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 曝光 设备 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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