[发明专利]氧化物半导体半浮栅晶体管存储器及其编程擦除和读取方法在审
| 申请号： | 202211205117.4 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115472199A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 吴小晗;丁士进 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C8/08;G11C7/12 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为氧化物半导体半浮栅晶体管存储器及其编程擦除和读取方法。本发明存储器单元在p型浮栅晶体管（p‑FGT）的栅介质层中嵌入n型氧化物半导体薄膜，该氧化物半导体薄膜与p‑FGT的漏极相连，同时连接p‑FGT的浮栅，并通过共用p‑FGT的栅极和部分栅介质，形成嵌入在p‑FGT栅介质中的n型氧化物半导体薄膜晶体管（n‑OSTFT）。该存储器具有非易失性。该存储器单元可以采用NOR架构电路或者NAND架构电路来构建存储器芯片，两种架构下均可实现擦写与读取操作。本发明所公开的存储器与现有商用存储器的工艺及架构的兼容性好、擦写速度快、存储时间长，具有切实且广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 半浮栅 晶体管 存储器 及其 编程 擦除 读取 方法 | ||
【主权项】：
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