[发明专利]一种基于柔性载板的SiC切割工艺在审
| 申请号： | 202211209764.2 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115497821A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 | 申请（专利权）人： | 中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683;B23K26/38;B23K26/402 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 苏映惜 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶圆加工技术领域，具体的是一种基于柔性载板的SiC切割工艺，本发明包括S1、完成SiC正面金属制程前的工艺与背面的减薄、离子植入；S2、将SiC正面键合在柔性玻璃载板上；S3、对晶圆采用激光隐形切割，并进行扩膜裂片；S4、将柔性玻璃载板键合在玻璃载板上；S5、溅镀金属膜；S6、使用uv光照，使得晶粒从柔性玻璃载板上解键脱落；本发明通过用柔性载板是因为做背面的金属溅镀时需要高温，到那时切割模框不能承受高温；要能够扩膜裂片又要能承受高温，柔性载板就是最好的选择，通过在晶圆的表面切割出上窄下宽的隐形切割面，这样在溅镀的时候，金属在经过断裂面后，就会掉入底部较宽的断裂面内，就不会与两边的晶粒相连，直接在晶粒的表面镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 柔性 sic 切割 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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