[发明专利]一种通用高速大容量缓存电路在审

专利信息
申请号: 202211218646.8 申请日: 2022-10-06
公开(公告)号: CN115630000A 公开(公告)日: 2023-01-20
发明(设计)人: 刘光亚;夏自金;蔡景洋;谭勇;凌豪;杨菲菲 申请(专利权)人: 贵州振华风光半导体股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F12/0866
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 刘安宁
地址: 550018 贵州省*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 一种通用高速大容量缓存电路,属于存储电路领域。使用FPGA或CPLD对DDR存储芯片进行驱动控制,使DDR存储芯片的读写时钟速度和传输带宽直接由处理器与DDR硬件的速度决定;使用FPGA或CPLD对DDR存储芯片进行控制,增加存储芯片数量及IO数量对容量进行扩展,获得设定的容量;在电气接口上,使用并行接口,采用同步时钟控制进行数据读写;在物理接口上,使用插拔式金手指接口。解决了现有缓存电路高速与大容量数据缓存不兼容的技术难题,具有容量大、速度快、接口简单等特性,通用性强。可广泛应用于工业、农业等领域的科学研究和工程应用,在数据采集、处理系统中,能对高速度、高密度的数据进行临时缓存。
搜索关键词: 一种 通用 高速 容量 缓存 电路
【主权项】:
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