[发明专利]一种同封装工艺结合的去衬底GaN-HEMT芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211224309.X | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115394849A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 汪福进;白俊春;程斌;贾永 | 申请（专利权）人： | 江苏芯港半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/373;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙) 11825 | 代理人： | 郭晓勇 |
| 地址： | 221212 江苏省徐州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种同封装工艺结合的去衬底GaN‑HEMT芯片及其制备方法，所述芯片包括封装支架(300)，封装支架(300)上依次设有固晶层(301)、高导热耐压层(302)、缓冲层(101)、沟道层(102)和势垒层(103)，势垒层(103)上设有p‑GaN层(104)、源极(105)和漏极(106)，p‑GaN层(104)上设有栅极(107)，源极(105)与p‑GaN层(104)和栅极(107)之间以及漏极(106)与p‑GaN层(104)和栅极(107)之间都设有绝缘层(108)。其将将衬底去除，并在外延层背面制备了高导热耐压层，能有效提高HEMT芯片的耐压和散热能力；并且，其同封装工艺结合，省略了芯片基板制备和键合工艺，能有效地降低成本，且进一步减少热阻，提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 工艺 结合 衬底 gan hemt 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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