[发明专利]半导体器件的切割方法在审
| 申请号： | 202211229330.9 | 申请日： | 2022-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN115527870A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 李朋;吴洋洋;曹庭松;杨扬;黎明 | 申请（专利权）人： | 北京超材信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/683;B28D1/22 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄 |
| 地址： | 102600 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件的切割方法，半导体器件包括陶瓷基板和电子芯片，环氧树脂层封装电子芯片于陶瓷基板上，竖直方向上，环氧树脂层的投影面积小于陶瓷基板的投影面积，环氧树脂层与陶瓷基板的边缘具有距离，切割方法包括以下步骤：在陶瓷基板的边缘涂覆减粘胶层，减粘胶层与环氧树脂层位于陶瓷基板的同一侧并在水平方向上远离环氧树脂层；将粘性紫外线膜覆盖在环氧树脂层和减粘胶层上，竖直方向上，粘性紫外线膜的投影面积大于等于陶瓷基板的投影面积；对减粘胶层进行处理以降低粘性；将粘性紫外线膜固定于基座上并对所述陶瓷基板进行切割。上述方法能够避免不同材料由于高度差导致陶瓷基板的边缘被拉扯而产生较大的形变和应力，造成裂纹或断裂的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
