[发明专利]双面抛光的修布工艺在审
| 申请号： | 202211229492.2 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115609480A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 孙若力;赵家;张文军 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B53/017 | 分类号： | B24B53/017 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双面抛光的修布工艺，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：测试初始的抛光布厚N。第二步：接着使用金刚砂轮A进行修布压合，接着采用修布程序进行修布。修布程序：第一阶段，砂轮转速:上盘转速=0.5～2:1，砂轮转速：下盘转速=2～10:‑1(负值表示行进方向相反)；第二阶段，砂轮转速：上盘转速=2～10:‑1，砂轮转速：下盘转速=0.5～2:1。第三步：测试修布后的抛光布厚M，通过N‑M得出去除量。第四步：当厚度去除量不足20～120μm，使用金刚砂轮A再次压合修布。第五步：当厚度去除量达到20～120μm，改用砂轮压合修布，修布去除量达到10‑30μm后修布完成。具有确保抛光稳定和平坦度稳定的特点。解决了金刚砂轮易磨损的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
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