[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202211229666.5 | 申请日： | 2022-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN115966600A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 田中香次;佐藤祐司;内田祥久;中村祥太郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/49;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于得到能够抑制对半导体基板的损伤的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：半导体基板；第1金属层，其设置于所述半导体基板之上；第2金属层，其设置于所述第1金属层之上，材料包含Ni；以及第3金属层，其设置于所述第2金属层之上，材料包含Cu或Ni，所述第2金属层的维氏硬度大于或等于400Hv，比所述第3金属层硬，所述第3金属层比所述第1金属层硬。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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