[发明专利]深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺及结构在审
| 申请号： | 202211232982.8 | 申请日： | 2022-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN115547850A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 徐健;田陌晨;温德鑫;祝俊东 | 申请（专利权）人： | 奇异摩尔（上海）集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/64;H01L25/16 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳 |
| 地址： | 201900 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺及结构。其包括：提供芯粒封装基体，其中，所述芯粒封装基体包括主芯片以及塑封于所述主芯片正面上的芯粒组，芯粒组包括至少一个芯粒，芯粒组内的芯粒与主芯片互联；对上述芯粒封装基体，在主芯片的背面进行深槽器件集成工艺，以在所述主芯片的背面集成所需的深槽器件，所述深槽器件包括深槽电容和/或深槽电感，深槽器件与主芯片和/或芯粒组内相应的芯粒适配电连接；深槽器件集成后，在主芯片的背面制备引出连接组件，利用所制备的引出连接组件将主芯片、芯粒组、深槽器件适配电连接所形成的芯粒封装体从主芯片的背面引出。本发明可满足深槽电容、深槽电感的大面积集成，提高集成的密度与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 背部 集成 三维 封装 工艺 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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