[发明专利]半导体壳体和制造半导体壳体的方法在审
| 申请号： | 202211241015.8 | 申请日： | 2022-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN116013889A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | R·桑德;L·埃克特;F·洛佩兹 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李兴斌;闫昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体壳体，包括：封装件，带有第一和第二侧面；至少一个功率半导体芯片，带有沿第一侧面延伸的漏极接触区、沿第二侧面延伸的源极接触区、漏极‑源极接触区之间的第一和第二内接触区；与漏极接触区连接的第一外部接头，在第一侧面处居中布置并设计用于为功率半导体芯片施加电源电压；与源极接触区连接的第二外部接头，在第二侧面处居中布置并设计用于为功率半导体芯片施加参考电压；第三和第四外部接头，与第一内接触区连接并在第一和第二侧面的第一端处彼此相对地布置，并设计为半导体壳体的第一输出；第五和第六外部接头，与第二内接触区连接并在第一和第二侧面的第二端处彼此相对地布置，并设计为半导体壳体的第二输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 壳体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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