[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 202211241597.X | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN115621387A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 金钟奎;姜珉佑;吴世熙;林亨镇 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；透明的导电型氧化物层，位于所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；介电层，覆盖所述导电型氧化物层，且具有暴露所述导电型氧化物层的多个开口部；金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括暴露所述第一导电型半导体层的至少一个第一开口部和暴露所述金属反射层的第二开口部；第一垫金属层及第二垫金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
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