[发明专利]一种集成TMBS的集成电路芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202211249671.2 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115483291A | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 刘秀梅;周祥瑞;刘锋;费国芬 | 申请（专利权）人： | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京神州信德知识产权代理事务所(普通合伙) 11814 | 代理人： | 朱俊杰 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区景*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种集成TMBS的集成电路芯片及其制备方法，一种集成TMBS的集成电路芯片，过渡区包括围绕所述有源区设置的多个沟槽型肖特基二极管，沟槽型肖特基二极管包括肖特基沟槽，肖特基沟槽内设有沟槽多晶硅及包围所述沟槽多晶硅的氧化层，肖特基沟槽设置在N型外延层内，在肖特基沟槽上设有肖特基接触层，肖特基接触层的宽度大于肖特基沟槽的宽度，在肖特基接触层上设有源极金属层，N型外延层下邻接N型衬底，N型衬底下设有欧姆接触的漏极金属层。本发明解决了目前MOSFET器件占用面积大及器件的导通损耗、开关损耗大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 tmbs 集成电路 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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