[发明专利]直下式次毫米发光二极管背光模块及其制造方法在审
| 申请号： | 202211253151.9 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115469483A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 成元纲 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13357 | 分类号： | G02F1/13357;H01L33/52;H05K1/02 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 芶雅灵 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种直下式次毫米发光二极管背光模块及其制造方法，其中直下式次毫米发光二极管背光模块包括印刷电路板、复数次毫米发光二极管单元、复数雷射网点及封装层。印刷电路板的表面周围定义边缘区域，次毫米发光二极管单元矩阵排列于印刷电路板的表面上且涵盖边缘区域，雷射网点分布于边缘区域的每一毫米发光二极管单元中，而封装层覆盖次毫米发光二极管单元且填平雷射网点。本发明利用雷射网点来增加边缘出光效率，再辅以区域调光技术，将可望大幅改善边缘辉度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 直下式次 毫米 发光二极管 背光 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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