[发明专利]背结太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211255866.8 申请日: 2022-10-13
公开(公告)号: CN115642202A 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 请求不公布姓名;请求不公布姓名;王治业 申请(专利权)人: 三一硅能(株洲)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 白冬梅
地址: 412000 湖南省株洲市石峰区铜塘*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及光伏技术领域,提供一种背结太阳能电池及其制备方法,其中方法包括:将硅片第一面的第一钝化层局部去除裸露出硅片;向硅片的裸露区域提供带有电子的掺杂源并进行光照,形成重掺杂区域;在重掺杂区域进行金属化,形成第一金属栅线。解决了现有技术中扩散掺杂时因经历高温掺杂过程导致硅片寿命大幅降低,影响背结太阳能电池的光电转换效率的问题,由于本发明的掺杂过程中硅片的裸露区域因光照产生的空穴能够与掺杂源带的电子中和进而发热,从而在裸露区域形成局部高温,无需硅片整体经历高温,降低了对硅片的寿命的影响,进而保证了背结太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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