[发明专利]背结太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202211255866.8 | 申请日: | 2022-10-13 |
公开(公告)号: | CN115642202A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名;请求不公布姓名;王治业 | 申请(专利权)人: | 三一硅能(株洲)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 白冬梅 |
地址: | 412000 湖南省株洲市石峰区铜塘*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光伏技术领域,提供一种背结太阳能电池及其制备方法,其中方法包括:将硅片第一面的第一钝化层局部去除裸露出硅片;向硅片的裸露区域提供带有电子的掺杂源并进行光照,形成重掺杂区域;在重掺杂区域进行金属化,形成第一金属栅线。解决了现有技术中扩散掺杂时因经历高温掺杂过程导致硅片寿命大幅降低,影响背结太阳能电池的光电转换效率的问题,由于本发明的掺杂过程中硅片的裸露区域因光照产生的空穴能够与掺杂源带的电子中和进而发热,从而在裸露区域形成局部高温,无需硅片整体经历高温,降低了对硅片的寿命的影响,进而保证了背结太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的