[发明专利]一种薄膜晶体管TFT及改善OLED显示残像的方法在审
| 申请号： | 202211267786.4 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115763253A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 喻志农;翁乐;况丹;刘斌;刘贤文;张硕 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;H10K59/12 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 巴晓艳 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管TFT及改善OLED显示残像的方法，包括：确定薄膜晶体管TFT的基底为柔性基底；检测基底的水氧阻隔层与基底之间的接触处对TFT稳定性的影响，并优化水氧阻隔层与所述基底间的接触界面；检测所述TFT的栅绝缘层与有源层间的界面对TFT稳定性的影响，并优化栅绝缘层与有源层间的界面；验证优化后的TFT的稳定性，检测基底和水氧阻隔层电容的变化，优化TFT的制备工艺。本发明结合半导体制造技术，在有源驱动层面，从根本上检测由薄膜晶体管造成的TFT不稳定性，进而导致OLED残像现象的原因。本发明通过设置检测界面和膜层等对TFT稳定性的影响，并据此改善界面和膜层，达到缓解OLED显示残像的目的，进一步实现提升OLED显示器的性能和延长OLED显示寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 tft 改善 oled 显示 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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