[发明专利]一种沟槽型MOSFET的制造方法有效
| 申请号： | 202211271251.4 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115360098B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡金勇 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;甄丹凤 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种沟槽型MOSFET的制造方法，包括：形成从第一掺杂类型的外延层的上表面延伸至其内部的沟槽；形成位于沟槽内的栅介质层以及栅极导体；形成位于所述外延层内的第二掺杂类型的体区，所述体区与所述沟槽相邻；形成位于所述体区内的第一掺杂类型的源区；在所述源区上方以及所述栅介质层上方形成第一介质层；形成贯穿第一介质层和源区，延伸至体区内部的接触孔；在所述接触孔的侧壁形成侧墙；经由所述接触孔形成第二掺杂类型的体接触区；形成填充于接触孔内的导电通道。本申请在形成体接触区之前形成接触孔，并且在接触孔中形成侧墙，接触孔侧壁的侧墙能够防止体接触区横向侵入至沟道区，保证器件的性能的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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