[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202211275943.6 | 申请日： | 2022-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN115497822A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 盛薄辉;王雪菲 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李建忠 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体结构的形成方法及半导体结构。半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成图形结构，图形结构包括阵列区和外围电路区；在衬底上形成覆盖阵列区和外围电路区的旋涂层，其中，旋涂层位于阵列区的表面与位于外围电路区的表面之间具有高度差；对旋涂层进行化学机械抛光，以减小旋涂层位于阵列区的表面与位于外围电路区的表面之间的高度差，从而提高了旋涂层的平坦化程度，以减少后续制程中的结构缺陷，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
