[发明专利]闪存器件的电容测试结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211287585.0 | 申请日： | 2022-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN115565905A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;李志国 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存器件的电容测试结构及其制备方法，方法包括：提供一半导体结构；去除形成于外围器件区的浮栅多晶硅层、栅间介质层、控制栅多晶硅层及所述浮栅氧化层以漏出所述衬底，并于其表面形成外围栅氧化层及外围栅极多晶硅层；刻蚀形成于存储器件区的浮栅多晶硅层、栅间介质层及控制栅多晶硅层以形成存储器件单元；刻蚀外围栅极多晶硅层以形成外围多晶硅栅，并同步刻蚀电容测试区边缘处预设宽度的控制栅多晶硅层及其下方预设厚度的栅间介质层以形成电容测试结构的下极板，此时，电容测试区的控制栅多晶硅层为电容测试结构的上极板。通过本发明解决了以现有的方法无法直接测试栅间介质层的厚度的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 电容 测试 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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