[发明专利]一种提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法在审
| 申请号： | 202211297164.6 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115513059A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 廖远宝;徐海铭;唐新宇;徐政;胡高康 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L23/552 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法，属于半导体功率器件领域。本发明新结构为MOSFET元胞区域，对于器件的终端耐压部分，直接参考常规产品做好场限环结构以及相应的场版结构。本发明提出在平面型MOSFET基础上，利用沟槽结构，旨在消除平面型MOSFET产品中抗单粒子栅穿的薄弱区域，提升器件抗辐射性能，从而更好的使之适应于宇航环境。本发明相比较平面型MOSFET器件，仅增加沟槽工艺，在工艺难度和制造成本增加有限的情况下，可以有效提升MOSFET产品抗单粒子栅穿能力，改善产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 mosfet 粒子 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
