[发明专利]包括接触插塞的半导体器件在审
| 申请号： | 202211306610.5 | 申请日： | 2022-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN116133426A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 安浚爀;朴素贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 范心田;吴晓兵 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底，设置有有源区；隔离层，在半导体衬底上限定每个有源区；栅电极，与有源区重叠，并且在平行于半导体衬底的上表面的第一方向上延伸；绝缘阻挡结构，设置在比设置栅电极的高度高的高度处，绝缘阻挡结构具有包括栅格单元的栅格图案；位线，在垂直于第一方向并且平行于半导体衬底的上表面的第二方向上延伸，并且设置在比设置绝缘阻挡结构的高度高的高度处；以及第一接触插塞，每个第一接触插塞设置在绝缘阻挡结构的栅格单元中的对应栅格单元中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 接触 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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