[发明专利]用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备在审
申请号: | 202211310438.0 | 申请日: | 2022-10-25 |
公开(公告)号: | CN115637420A | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 白海健;刘振;吴凤丽;野沢俊久;金基烈;刘润哲;董文惠 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林岭 |
地址: | 110171 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供了用于双腔半导体设备的排气管路以及双腔半导体设备。排气管路包括真空泵排气管路,具有前级抽气管路、真空泵以及后级抽气管路。前级抽气管路连接双腔室和真空泵的进口,后级抽气管路连接真空泵的出口和废气处理装置。前级抽气管路上设置有第一阀门,将前级抽气管路分为第一段和第二段。第一段位于第一阀门与双腔室之间,第二段位于第一阀门与真空泵之间。第一分子泵排气管路包括第一分子泵进气管道、第一分子泵以及第一分子泵排气管道。第一分子泵进气管道连接前级抽气管路的第一段与第一分子泵的进口。第一分子泵进气管道与该第一段的交汇点靠近第一阀门。第一分子泵排气管道连接第一分子泵的出口与前级抽气管路的第二段。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体设备 排气 管路 以及 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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