[发明专利]一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用在审
| 申请号： | 202211319023.X | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115838186A | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 田玉伟;张全有;杨坤;包颖;张爱兵;张国栋;古宏伟 | 申请（专利权）人： | 东部超导科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C01G3/00 | 分类号： | C01G3/00;H01B12/00;H01B13/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 殷海霞 |
| 地址： | 215217 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锶掺杂钡源及其制备方法与在制备高温超导带材中的应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)将钡盐、锶盐与2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮络合反应生成双(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)钡锶；(2)再加入1，10‑菲罗啉进行配位反应，反应完全后蒸发结晶得到所述锶掺杂的钡源。本发明制备得到的锶掺杂钡源与三(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)钇源以及双(2，2，6，6‑四甲基‑3，5‑庚二酮)铜源挥发温度相近，三种前驱体源通过MOCVD工艺可同时与氧离子结合，在带材上形成具有超导功能的陶瓷层膜。该陶瓷层膜形成的功能层在77K、0T下的临界电流高达765.10A，且具有良好的柔韧性，8mm棒弯曲临界电流损失仅为5.21％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 及其 制备 方法 高温 超导 中的 应用 | ||
【主权项】：
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