[发明专利]硅基前驱体的提纯方法及提纯系统有效
| 申请号： | 202211323659.1 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115591272B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘颖;裴凯;赵毅;孙良礼;李晓婷 | 申请（专利权）人： | 大连科利德光电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B01D11/04 | 分类号： | B01D11/04;B01D15/10;B01J20/26;C07F7/21;B01J20/30 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周帅 |
| 地址： | 116200 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子前驱体纯化领域，尤其涉及硅基前驱体的提纯方法及提纯系统，所述方法，包括以下步骤：（S.1）将吸附剂分散于离子液体中，得到吸附浆料；（S.2）将工业级硅基前驱体溶于吸附浆料中，使得工业级硅基前驱体与吸附剂相接触，从而使得工业级硅基前驱体中的金属离子杂质被吸附剂所吸附；（S.3）吸附结束后，对粗品硅基前驱体进行精馏，去除硅基前驱体中的轻组分以及重组分，得到电子级硅基前驱体。本发明通过改变硅基前驱体在提纯过程中的环境，有效将硅基前驱体与混杂在其中的金属离子杂质分离，从而有利于对于金属离子杂质的吸附，同时通过多种手段联用，提升了对于金属离子杂质的物理或化学吸附效果。 | ||
| 搜索关键词： | 前驱 提纯 方法 系统 | ||
【主权项】：
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