[发明专利]一种半导体器件的电性能测试方法在审
| 申请号： | 202211328012.8 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115692227A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 杨劲松;潘冬;罗虎臣;罗文治 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 刘芬芬 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的电性能测试方法，该制备方法包括：在第一基体的第一表面形成第一线路层；在第一线路层背离第一基体的一侧形成第一测试焊盘，第一测试焊盘与第一线路层中的部分线路电连接；通过第一测试焊盘获得第一线路层的电性能；去除第一测试焊盘。通过上述方式，可以将第一测试焊盘作为临时扎针焊盘，实现在半导体器件加工的前道工序或者中间工序中实时检测各结构层的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 性能 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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