[发明专利]一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置在审
| 申请号： | 202211328959.9 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115537933A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘砚滨;赵中阳;赵春锋;于会永 | 申请（专利权）人： | 大庆溢泰半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218 | 代理人： | 孙淑荣 |
| 地址： | 163000 黑龙江省大庆市高新区火*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电导率钽酸理晶片黑化的装置，包括基座，基座的顶部固定安装有反应罐，反应罐的一侧连通有通气组件，反应罐内腔的底部可拆卸安装有加热装置，加热装置的顶部可拆卸安装有顶出组件，顶出组件的顶部固定安装有振动组件，基座的顶部开设有滑槽。本发明通过设置反应罐和坩埚，由于坩埚的材质为硅，即半导体材质，操作人员在将钽酸理晶片原料放入坩埚后，还可以向坩埚中加入部分耐高温掺杂物质(如陶瓷或沙子)，使得坩埚中的含杂质成分增高，可以使得坩埚中的电导率升高，这样钽酸理晶片原料在反应罐中进行氧化黑化反应时，电导率的升高可以使晶片体内载流子的浓度大量增加，提高了钽酸理晶片的成品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电导率 钽酸理 晶片 装置 | ||
【主权项】：
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