[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在半导体器件包括的至少两个晶体管具有的阈值电压的绝对值不同的情况下，降低该半导体器件的制造难度。所述半导体器件包括：半导体基底、第一环栅晶体管和第二环栅晶体管。沿平行于第一环栅晶体管包括的第一栅堆叠结构的宽度方向，第一环栅晶体管包括的第一沟道区具有至少两列间隔设置的第一沟道部。沿平行于第二环栅晶体管包括的第二栅堆叠结构的宽度方向，第二环栅晶体管包括的第二沟道区具有至少两列间隔设置的第二沟道部。相邻两列第二沟道部的间距不同于相邻两列第一沟道部的间距。第二沟道区中至少一列第二沟道部的宽度不同于第一沟道区中至少一列第一沟道部的宽度。