[发明专利]用于电迁移测试的虚置结构有效
| 申请号： | 202211330965.8 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN115513084B | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 俞佩佩;王丽雅;胡明辉 | 申请（专利权）人： | 合肥新晶集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种用于电迁移测试的虚置结构，该虚置结构包括绝缘介质层、多个第一开口、一个第二开口以及多个第一金属块，其中，多个第一开口沿第一方向间隔的开设在绝缘介质层中，第一方向为垂直于绝缘介质层厚度的方向；第二开口开设在绝缘介质层中，第二开口位于多个第一开口的一侧，且第二开口沿第一方向的长度大于第一开口沿第一方向的长度；多个第一金属块均匀的间隔设置在绝缘介质层的表面上。该用于电迁移测试的虚置结构通过设计一个第二开口，使得金属测试结构以及待测金属线能够裸露，从而在找出失效点的时候不会使金属测试结构以及待测金属线受到损伤，进而解决了现有技术中用于电迁移测试的虚置结构在研磨时容易损伤失效点的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
