[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202211333594.9 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN116264219A | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 村田悠马;谷口克己;加藤辽一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，在将正极端子与负极端子隔着绝缘片层叠的层压布线构造中能够确保正极端子与负极端子之间的爬电距离，从而能够提高绝缘性能。半导体装置具备：绝缘片，具有第一主表面和第二主表面；板状的第一端子，其与绝缘片的第一主表面相向地设置，该第一端子具有突出到绝缘片的第一主表面的外侧的第一突出部；以及板状的第二端子，其与绝缘片的第二主表面相向地设置，该第二端子具有与第一突出部并排地突出到绝缘片的第二主表面的外侧的第二突出部，在第一突出部的与绝缘片的端部相交的位置，设置有使与第二突出部相向的侧面向远离第二突出部的方向凹陷而成的第一凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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