[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板在审
| 申请号： | 202211337868.1 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN116072680A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 钟德镇;张原豪 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 刘芳春 |
| 地址： | 215301 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管阵列基板，包括：衬底；位于衬底上由第一金属层经图案化形成的栅极；覆盖栅极的栅极绝缘层；位于栅极绝缘层上由第一金属氧化物层经图案化形成的有源层；位于有源层上相互间隔开的源极和漏极，其中源极和漏极均为三层堆叠结构，包括位于中间的金属铜层、设置在金属铜层下方的第二金属层以及覆盖在金属铜层上方的第二金属氧化物层。本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法及显示面板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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