[发明专利]减少闪存器件浮栅多晶硅损失的方法在审
| 申请号： | 202211373081.0 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN115589730A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 姚春;杜怡行;王壮壮;张超然 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/762;H01L21/763 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少闪存器件浮栅多晶硅损失的方法，方法包括：提供一半导体结构，包括浮栅多晶硅层、硬掩膜层及浅沟槽隔离结构，其中，浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构；对浅沟槽隔离结构进行湿法刻蚀；于外围器件区形成掩膜层以保护第二浅沟槽隔离结构，并对第一浅沟槽隔离结构进行第一刻蚀深度的第一刻蚀工艺及第二刻蚀深度的第二刻蚀工艺；去除掩膜层，并对第一浅沟槽隔离结构及第二浅沟槽隔离结构进行第三刻蚀深度的第三刻蚀工艺；湿法刻蚀去除硬掩膜层。通过本发明解决了现有的调节浅沟槽隔离结构与浮栅多晶硅台阶高度差的方法造成浮栅多晶硅产生的损失较多的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 闪存 器件 多晶 损失 方法 | ||
【主权项】：
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