[发明专利]一种磁子自旋力矩器件、存储结构及电子设备在审
| 申请号： | 202211379316.7 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN115802871A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 南天翔;柴亚红 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H10N52/85 | 分类号： | H10N52/85;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 栗若木;龙洪 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁子自旋力矩器件、存储结构及电子设备，所述磁子自旋力矩器件包括：衬底，设置在所述衬底上的自旋源层，设置在所述自旋源层远离所述衬底一侧的磁子传输层，设置在所述磁子传输层远离所述衬底一侧的磁性结构层，其中，所述磁子传输层包括多铁反铁磁材料。本实施例提供的方案，使用多铁反铁磁材料作为磁子传输层，可以实现通过电场控制磁子自旋力矩，相比使用非多铁反铁磁材料作为磁子传输层的方案，电场可调，传输距离更远，损耗更小，能耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 力矩 器件 存储 结构 电子设备 | ||
【主权项】：
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