[发明专利]光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质在审
| 申请号： | 202211385426.4 | 申请日： | 2022-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN115616874A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 王嘉硕;韦亚一;董立松;苏晓菁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 卫三娟 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质，该方法包括：获取多个初始优化图形；对多个初始优化图形进行傅里叶变换得到各个初始优化图形分别对应的频谱；检测各个初始优化图形分别对应的频谱与其他频谱重复的个数，并根据从大到小重复的个数对各个初始优化图形进行排序；对各个初始优化图形的特征尺寸进行排序；选择各个初始优化图形中排序前第一预设名次的图形、后第二预设名次的图形和各个初始优化图形中特征尺寸最小的图形作为最终优化图形。从而本申请提出的基于频谱重复量的优化图形选择方式可以避免基于经验的选择方式中图形选择较为盲目的现象，降低了图形选择难度和时间成本，同时也提升了模型校准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 模型 校准 优化 图形 选择 方法 装置 系统 介质 | ||
【主权项】：
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