[发明专利]划片方法在审
| 申请号： | 202211397300.9 | 申请日： | 2022-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN115579325A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 刘秀勇;李志国;马栋;王丽 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 崔莹 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种划片方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括：切割道和阵列排布的多个芯片；形成绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述芯片和所述切割道；形成钝化层，所述钝化层覆盖所述绝缘介质层；刻蚀所述钝化层以得到多条沟槽，其中，所述钝化层中的所述沟槽位于所述切割道上方；对所述晶圆进行划片以得到多个独立的所述芯片。本申请通过对切割道上的钝化层进行刻蚀，使得切割道上的钝化层与芯片上的钝化层隔离，避免了划片时钝化层以及其底部的芯片发生崩角、崩边或裂纹等缺陷的问题，在划片时芯片上的钝化层可以不受划片影响，从而使得芯片内部电路结构不受到任何影响，提高了划片的效率，保证了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 划片 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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