[发明专利]一种半导体介质层结构及制作方法在审
| 申请号： | 202211399824.1 | 申请日： | 2022-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN115579401A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李杰英;单亚东;胡丹;谢刚 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 王暄 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体介质层结构及制作方法。该半导体介质层结构包括半导体衬底，半导体衬底表面设有外延层，所述外延层设有多个沟槽，外延层表面设有热氧化层，沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，原位掺杂多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，沟槽相邻的热氧化层表面设有氮化硅层，氮化硅层表面设有第一淀积氧化层，第一淀积氧化层表面设有第二淀积氧化层，第二淀积氧化层以及氮化硅层以及热氧化层的一部分镂空形成接触孔，接触孔内的底端延伸至外延层表面，接触孔底部内的底端边缘延伸至原位掺杂多晶硅，露出沟槽内壁的栅氧化层，第二淀积氧化层和栅氧化层共同形成原位掺杂多晶硅的侧墙结构。本发明能够避免半导体界面的尖角因接触孔刻蚀而裸露出来。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 介质 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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