[发明专利]集成低压器件的耐高压开关器件及其制备方法、芯片

摘要

本申请涉及一种集成低压器件的耐高压开关器件及其制备方法、芯片。集成低压器件的耐高压开关器件包括N型碳化硅衬底、漂移层、缓冲层、沟道层、势垒层、高压漏极以及设于高压器件区内的中介金属层、高压源极和高压栅极。本申请通过将高压漏极设于N型碳化硅衬底的背面，可以形成由高压漏极、N型碳化硅衬底、第二漂移区、中介金属层、二维电子气和高压源极组成的导电通路。通过将N型碳化硅衬底和第二漂移区作为导电通路的一部分，从而利用碳化硅的特性，提高形成的半导体器件的耐高压性能。通过浅沟渠隔离层可以切断二维电子气，使各个器件区相互独立。通过第一漂移区则可以避免高压器件区中的高电压影响低压器件区中的HEMT器件工作。