[发明专利]一种异质结双极晶体管缺陷检测方法在审

专利信息
申请号: 202211410967.8 申请日: 2022-11-11
公开(公告)号: CN115656762A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 李兴冀;杨剑群;宋扬;刘中利 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G06T11/20
代理公司: 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 代理人: 吴航
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明提出了一种异质结双极晶体管缺陷检测方法,包括:获取异质结双极晶体管在预设电压时的C‑V曲线和1/C2‑V曲线;确定所述C‑V曲线和所述1/C2‑V曲线在第一预设电压范围内的变化情况;根据所述变化情况控制深能级瞬态谱的C‑V测试模块或I‑V测试模块进行所述异质结双极晶体管的缺陷检测。本发明的有益效果:通过控制深能级瞬态谱的不同的测试模块对异质结双极晶体管的缺陷种类和缺陷状态进行检测,能够深入分析异质结双极晶体管内部缺陷性质和辐射损伤机制。
搜索关键词: 一种 异质结 双极晶体管 缺陷 检测 方法
【主权项】:
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