[发明专利]一种降低硅片损伤的硅舟有效
| 申请号： | 202211432870.7 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115662928B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 范明明;祝建敏;李长苏 | 申请（专利权）人： | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 杭州信与义专利代理有限公司 33450 | 代理人： | 蒋亚兵 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及硅舟领域，特别地，涉及一种降低硅片损伤的硅舟，包括平行且对向设置的法兰和天板，所述法兰和天板之间设有沟棒，所述沟棒的内侧设有用于承托硅片的沟齿；所述沟棒至少设有三根，包括两根前沟棒和一根后沟棒，所述前沟棒的截面形状为"7"字形，所述前沟棒上的沟齿作为"7"字形的上半部分，所述前沟棒本体作为"7"字形的下半部分；三根所述沟棒上的相应沟齿在同一平面形成硅片容置槽，两根前沟棒本体之间的最短连线长度大于硅片的直径，两根前沟棒的沟齿之间的最短连线长度小于硅片的直径;本发明目的是克服现有技术的不足而提供一种降低硅片损伤的硅舟，可缩小硅舟的开口处两沟棒对硅片的支撑点之间的间距，进而减小硅片外圈在高温下的坍塌形变量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 硅片 损伤 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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